SJ 50033.128-1997 半导体分立器件2DK15型硅肖特基开关整流二极管详细规范
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ID： |
A5690EB55B2540788F47B9001C10504C |
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文件大小(MB)： |
0.64 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/128-97,半导体分立器件,2DK15型硅肖特基开关整流,二极管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2DK15 SCHOTTKY,silicon switching rectifier diode,1997.06丒17发布 1997.10.01实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2DK15型硅肖特基开关整流二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2DK15 SCHOTTKY,silicon switching rectifier diode,SJ 50033/128-97,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2DK15型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023-86半导体分立器件 第2部分 整流二极管,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GB 33-85 半导体分立器件总规范,GB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33和本规范图1的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布1997-10-01 实施,-1 -,SJ 50033/128-97,引出端材料应为柯伐丝,引出端表面镀银或浸锡,3.2.2 器件结构,由二个芯片装配,并和底盘、引出端之间采用髙温冶金键合结构。器件2DK15c. D. E. F,各档为结构相似器件,在试验中可以相互替代,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2—01C及如下规定。见图1,mm,1 .-M~~,1 一正极,2一正极,负极接外壳,图1外形图,B2—01C,min nom max,A 8.63,12.19,跖1 1.52,0.966 1.092,和22.86,d 5.46*,F 3.50,L 8 13.9,レ1.52,虹3.84 4.21,q 29.90 30.40,% 13.58,* 4.82,S 16.89,5 40.13,5 27.17,2 -------- 0~~,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号T产75匕,A,Vrrm,V,Vrwm,V,FSM,A,Tイ op,V V,2DK15C,20,50 40,250,- 55.150 - 55.175,2DK15D 60 50,2DK15E 70 60,200,2DK15F 80 70,2,8J 瞰83ハ28 T7,注:1）当興超过7死的?按济沁A/k线性地降额,3.3.2主要电特性（7a三游七）,型号,Vfmi,fFM = 20A(pW,V,j兩ヨ1A,(pk),V,VpM3,(pk),Tj= -55t,V .,Iri,3 v所,ろ二25匕,mA,レ2,瞑"8Vrwx,Tj = 125t,mA,K (th)j- c,[1h = 5A,±h = 50s,K/W,/=lMHz,VR = 5.0V,pF,J,fF = 045A,ns,最大值最大值最大值最大值最大值最大值最大值最大值,2DK15C 0.65 0；50 6.85,3,55,10 4000 100,2DK15D,2DK15E 0.75 0:55 机95,65,2DK15F,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6571及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,当批量小于500时,抽样采用小批量的LTPD,抽样和固定抽样相结合的抽样方案,4.2 鉴定检验,鉴定检脸应按GJB 33的规定,4.3 筛选（适用于GT和GCT级）,筛选应符合GJB 33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应剔除。_____________________________________________,筛 选,(见 GJB 33 表 2),试验方法,（GJB 128）,测试或试验,质量保,证等级,11内部目检2073 GTsGCT,2.高温寿命1032 试验!条件:175t?=48h GTxGCT,3.热冲击（温度循环） 1051 试验条件:-55t~150t 循环シ次GT>GCT,4.恒定加速度，城98W0m/s2( 10000g) 20s
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